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1N6625US
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1N6625US 技術仕様
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 1A |
Supplier Device Package | A-MELF |
Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
Package / Case | SQ-MELF, A |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 1100V |
Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1100V (1.1kV) |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
1N6625US 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "1N662" 部品
次の部分には次のものが含まれます '1N662'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
1N6620 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2770 |
1N6620US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2523 |
1N6620US | Microsemi Corporation | 単相ダイオード整流器 | |
1N6621 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2731 |
1N6621 | Microsemi Corporation | 単相ダイオード整流器 | |
1N6621US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 1081 |
1N6621US | Microsemi Corporation | 単相ダイオード整流器 | |
1N6622 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2534 |
1N6622US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2681 |
1N6622US | Microsemi Corporation | 単相ダイオード整流器 |
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1N6625US ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 1N6625US 参考価格. 1N6625US パラメーター, 1N6625US データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N6625US プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N6625US ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N6625US エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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