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1N6631US 技術仕様

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A
Supplier Device Package A-MELF
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Package / Case SQ-MELF, A
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 4µA @ 1100V
Capacitance @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1100V (1.1kV)
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1.4A
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1N6630 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2750
1N6630US Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2743
1N6631 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2566
1N6632 Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2782
1N6632 Microsemi Corporation ツェナーダイオード
1N6632US Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2736
1N6632US Microsemi Corporation ツェナーダイオード
1N6633 Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2595
1N6633US Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2759
1N6634 Microsemi ダイオード - ゼナー - シングル 2699

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