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2731-200P 技術仕様

RF POWER TRANSISTOR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition 2.7GHz ~ 3.1GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type -
Power - Max -
Operating Temperature -
Mounting Type Chassis Mount
Gain 8.7dB
Detailed Description RF Transistor 2.7GHz ~ 3.1GHz Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) -
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2731-100M Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2562
2731-20 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2722
2731-200P Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ

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2731-200P ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 2731-200P 参考価格. 2731-200P パラメーター, 2731-200P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2731-200P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2731-200P ピン図と回路図と機能の使用方法、 2731-200P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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