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2N6770T1 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-254AA
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Package / Case TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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2N6770 Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1355

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2N6770T1 ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 2N6770T1 参考価格. 2N6770T1 パラメーター, 2N6770T1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2N6770T1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2N6770T1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 2N6770T1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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