2N6849U 技術仕様

MOSFET P-CH 100V 18-LCC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 18-ULCC (9.14x7.49)
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Package / Case 18-BQFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 4.1A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
2N684 Central Semiconductor サイリスタ - SCR 2536
2N684 Central Semiconductor Corp SCRs サイリスタ
2N6845 SI/VISHAY 特殊なホットIC 1362
2N6845JANTX IR 特殊なホットIC 159
2N6847 IR 特殊なホットIC 1406
2N6847JANTX IR 特殊なホットIC 62
2N6849 Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1444
2N6849 Microsemi Corporation 単一MOSFETトランジスタ
2N6849JANTX IR 特殊なホットIC 582
2N684A Central Semiconductor サイリスタ - SCR 2532

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