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APT10M11B2VFRG
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APT10M11B2VFRG 技術仕様
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Supplier Device Package | T-MAX™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS V® |
Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 Variant |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 450nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
APT10M11B2VFRG 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください APT10M11B2VFRG
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データシート
APT10M11B2VFRG.pdf
その他には以下が含まれます: "APT10" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APT10'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APT1001R1BN | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 642 |
APT1001R2HN | APT | 特殊なホットIC | 2982 |
APT1001R3BN | APT | 特殊なホットIC | 6948 |
APT1001R6BN | APT | 特殊なホットIC | 2845 |
APT1001RBLC | APT | 特殊なホットIC | 2879 |
APT1001RBN | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 12388 |
APT1001RBNR | IXYS | 特殊なホットIC | 2686 |
APT1001RBVFR | APTMICROSEMI | 特殊なホットIC | 2360 |
APT1001RBVFRG | APT | 特殊なホットIC | 2464 |
APT1001RBVR | APT | 特殊なホットIC | 19 |
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