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APT18F60B
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APT18F60B 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Power Dissipation (Max) | 335W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 9A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
APT18F60B 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください APT18F60B
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データシート
1.APT18F60B.pdf 2.APT18F60B.pdf
その他には以下が含まれます: "APT18" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APT18'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APT18F60S | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2607 |
APT18M100B | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2883 |
APT18M80B | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2766 |
APT18M80B | Microsemi Corporation | 単一MOSFETトランジスタ | |
APT18M80S | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2773 |
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輸送方法 | ||
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