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APT56M60B2
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APT56M60B2 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 28A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11300pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power Dissipation (Max) | 1040W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 Variant |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
APT56M60B2 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください APT56M60B2
-
データシート
2.APT56M60B2.pdf 1.APT56M60B2.pdf
その他には以下が含まれます: "APT56" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APT56'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APT564-227-1334 | APT | 特殊なホットIC | 2876 |
APT56F50B2 | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2779 |
APT56F50L | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2798 |
APT56F60B2 | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2787 |
APT56F60B2 94N65 MOS | Microsemi | 特殊なホットIC | 1267 |
APT56F60L | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2603 |
APT56H50J | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2809 |
APT56M50B2 | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2745 |
APT56M50B2 | Microsemi Corporation | 単一MOSFETトランジスタ | |
APT56M50L | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2896 |
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