APTM120A20SG 技術仕様

MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP6
Power - Max 1250W
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 600nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
APTM100A12STG Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2580
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