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APTM50H10FT3G
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APTM50H10FT3G 技術仕様
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 18.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4367pF @ 25V |
FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SP3 |
Power - Max | 312W |
Package / Case | SP3 |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A |
APTM50H10FT3G 書類
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その他には以下が含まれます: "APTM5" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APTM5'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APTM50A15FT1G | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2753 |
APTM50A15FT1G | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ | |
APTM50AM17F | MICROSEM | IGBTモジュール | 1253 |
APTM50AM17FG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2607 |
APTM50AM17FG | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ | |
APTM50AM19FG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2562 |
APTM50AM19FG | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ | |
APTM50AM19STG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2706 |
APTM50AM19STG | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ | |
APTM50AM24SCG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2664 |
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