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JAN1N5809US 技術仕様

DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Series Military, MIL-PRF-19500/477
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 6A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
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JAN1N1124 Microsemi 特殊なホットIC 2723
JAN1N1124A IR 特殊なホットIC 1452
JAN1N1125AR IR 特殊なホットIC 2992
JAN1N1127AR IR 特殊なホットIC 2804
JAN1N1183 MOTOROLA 特殊なホットIC 2945
JAN1N1183A MOTOROLA 特殊なホットIC 2712
JAN1N1183AR MOTOROLA 特殊なホットIC 2927
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JAN1N1184A MOTOROLA 特殊なホットIC 2899
JAN1N1186 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2714

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