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JAN1N6627US 技術仕様

DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 1.2A
Supplier Device Package D-5B
Series Military, MIL-PRF-19500/590
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1.75A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 440V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case SQ-MELF, E
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 2µA @ 440V
Capacitance @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz
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JAN1N1124 Microsemi 特殊なホットIC 2723
JAN1N1124A IR 特殊なホットIC 1452
JAN1N1125AR IR 特殊なホットIC 2992
JAN1N1127AR IR 特殊なホットIC 2804
JAN1N1183 MOTOROLA 特殊なホットIC 2945
JAN1N1183A MOTOROLA 特殊なホットIC 2712
JAN1N1183AR MOTOROLA 特殊なホットIC 2927
JAN1N1184 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2615
JAN1N1184A MOTOROLA 特殊なホットIC 2899
JAN1N1186 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2714

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