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JANTXV2N6849U
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JANTXV2N6849U 技術仕様
MOSFET P-CH 100V 6.5A
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Military, MIL-PRF-19500/564 |
Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Package / Case | 18-BQFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
JANTXV2N6849U 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください JANTXV2N6849U
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データシート
JANTXV2N6849U.pdf
その他には以下が含まれます: "JANTX" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'JANTX'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
JANTX1N1184 | Microsemi | 特殊なホットIC | 2204 |
JANTX1N1184R | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2609 |
JANTX1N1185R | IR | 特殊なホットIC | 2812 |
JANTX1N1186 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2657 |
JANTX1N1186R | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2505 |
JANTX1N1188R | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2513 |
JANTX1N1189R | IR | 特殊なホットIC | 2700 |
JANTX1N1190 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2683 |
JANTX1N1190R | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2681 |
JANTX1N1191R | IR | 特殊なホットIC | 2862 |
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