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MRF581 技術仕様

TRANS NPN 18V 200MA MACRO X

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 18V
Supplier Device Package Micro-X ceramic (84C)
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1.25W
Package / Case Micro-X ceramic (84C)
Noise Figure (dB Typ @ f) 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MRF580 MOTO 特殊なホットIC 10
MRF580A MOT 特殊なホットIC 10
MRF581 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MRF5811T1G ON 特殊なホットIC 3600
MRF5812 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2663
MRF5812 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MRF5812G Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 7400
MRF5812G Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MRF5812GR1 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2629
MRF5812GR1 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ

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MRF581 ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, MRF581 参考価格. MRF581 パラメーター, MRF581 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MRF581 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MRF581 ピン図と回路図と機能の使用方法、 MRF581 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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