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MS2554A 技術仕様

RF POWER TRANSISTOR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Supplier Device Package M216
Package / Case M216
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition 1.025GHz ~ 1.15GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 600W
Operating Temperature 200°C
Mounting Type Chassis Mount
Gain 6.2dB
Detailed Description RF Transistor NPN 65V 17.8A 1.025GHz ~ 1.15GHz 600W Chassis Mount M216
Current - Collector (Ic) (Max) 17.8A
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MS2552 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2569
MS2552 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS2553C Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2762
MS2553C Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS2554 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2674
MS2554 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS2554A Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ

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