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MX2N5116 技術仕様

N CHANNEL JFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - JFET
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 4V @ 1nA
Supplier Device Package TO-18
Resistance - RDS(On) 175 Ohm
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30V
Series Military, MIL-PRF-19500
Power - Max 500mW
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
FET Type P-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 15V
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MX2N5114 Microsemi トランジスタ - JFET 2706
MX2N5114 Microsemi Corporation JFETトランジスタ
MX2N5116 Microsemi Corporation JFETトランジスタ

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