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1N5554US 技術仕様

DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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1N5550 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2776
1N5550 Microsemi Corporation 単相ダイオード整流器
1N5550C.TR Semtech ダイオード - 整流器 - シングル 0
1N5550US Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2633
1N5551 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2628
1N5551 Semtech ダイオード - 整流器 - シングル 751
1N5551 Microsemi Corporation 単相ダイオード整流器
1N5551C.TR Semtech ダイオード - 整流器 - シングル 2619
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