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1N5619US 技術仕様

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A
Supplier Device Package D-5A
Reverse Recovery Time (trr) 250ns
Package / Case SQ-MELF, A
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 600V
Capacitance @ Vr, F 25pF @ 12V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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1N5610 Microsemi TVSダイオード 2515
1N5611 Microsemi TVSダイオード 0
1N5613 Microsemi TVSダイオード 0
1N5614 Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2645
1N5614GP-E3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2791
1N5614GP-E3/73 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2710
1N5614GP-E3/73 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2559
1N5614GPHE3/54 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2794
1N5614GPHE3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2551
1N5614US Microsemi ダイオード - 整流器 - シングル 2770

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1N5619US ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, 1N5619US 参考価格. 1N5619US パラメーター, 1N5619US データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5619US プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5619US ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5619US エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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