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2N7002E-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21pF @ 5V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240mA (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-236
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
2N7000 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 61787
2N7000 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2253
2N7000 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 61847
2N7000 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
2N7000 IC Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 397
2N7000 MOS NXP Semiconductors / Freescale 特殊なホットIC 1843
2N7000,126 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
2N7000-D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 160397
2N7000-D26Z ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
2N7000-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2764

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2N7002E-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, 2N7002E-T1-GE3 参考価格. 2N7002E-T1-GE3 パラメーター, 2N7002E-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2N7002E-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2N7002E-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 2N7002E-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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