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A2T18S262W12NR3 技術仕様

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - RF
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 28V
Transistor Type LDMOS
Power - Output 231W
Other Names 935346497528
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Frequency 1.805GHz ~ 1.88GHz
Current Rating 10µA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 65V
Supplier Device Package OM-880X-2L2L
Package / Case OM-880X-2L2L
Noise Figure -
Gain 19.3dB
Detailed Description RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L
Current - Test 1.6A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
A2T18H100-25SR3 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - FET、MOSFET - RF 697
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. RF MOSFETトランジスタ
A2T18H160-24SR3 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2523
A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. RF MOSFETトランジスタ
A2T18H410-24SR6 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - FET、MOSFET - RF 359
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. RF MOSFETトランジスタ
A2T18H450W19SR6 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2686
A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. RF MOSFETトランジスタ
A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2554
A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. RF MOSFETトランジスタ

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A2T18S262W12NR3 ブランドメーカー: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip ストック, A2T18S262W12NR3 参考価格. A2T18S262W12NR3 パラメーター, A2T18S262W12NR3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 A2T18S262W12NR3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 A2T18S262W12NR3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 A2T18S262W12NR3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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