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ALD110908APAL 技術仕様

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Advanced Linear Devices, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 810mV @ 1µA
Series EPAD®
Power - Max 500mW
Package / Case 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12mA, 3mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 4.8V
Packaging Tube
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
ALD1101APAL Advanced Linear Devices, Inc. トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2523
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFETトランジスタアレイ
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices, Inc. トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2733
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFETトランジスタアレイ
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices, Inc. トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2716
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFETトランジスタアレイ
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices, Inc. トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2781
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFETトランジスタアレイ
ALD1101PAL Advanced Linear Devices, Inc. トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2576
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFETトランジスタアレイ

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ALD110908APAL ブランドメーカー: Advanced Linear Devices, Inc., Bonchip ストック, ALD110908APAL 参考価格. ALD110908APAL パラメーター, ALD110908APAL データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 ALD110908APAL プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 ALD110908APAL ピン図と回路図と機能の使用方法、 ALD110908APAL エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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