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APT150GT120JR
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APT150GT120JR 技術仕様
IGBT 1200V 170A 830W SOT227
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Power - Max | 830W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 150µA |
Configuration | Single |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
Series | Thunderbolt IGBT® |
Package / Case | ISOTOP |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector (Ic) (Max) | 170A |
APT150GT120JR 書類
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その他には以下が含まれます: "APT15" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APT15'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APT150GN120J | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2267 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 1405 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT150GN60B2G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - シングル | 2505 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | 単一IGBT | |
APT150GN60J | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2925 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 1410 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBTモジュール |
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