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APTGT200DH60G 技術仕様

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package SP6
Package / Case SP6
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max) 290A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Power - Max 625W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
Configuration Asymmetrical Bridge
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
APTGT100A1202G Microsemi トランジスタ - IGBT - モジュール 2741
APTGT100A1202G Microsemi Corporation IGBTモジュール
APTGT100A120D1G Microsemi トランジスタ - IGBT - モジュール 2761
APTGT100A120D1G Microsemi Corporation IGBTモジュール
APTGT100A120T3AG Microsemi トランジスタ - IGBT - モジュール 2517
APTGT100A120T3AG Microsemi Corporation IGBTモジュール
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APTGT200DH60G ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, APTGT200DH60G 参考価格. APTGT200DH60G パラメーター, APTGT200DH60G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 APTGT200DH60G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 APTGT200DH60G ピン図と回路図と機能の使用方法、 APTGT200DH60G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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