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APTGT75DA120D1G
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APTGT75DA120D1G 技術仕様
IGBT 1200V 110A 357W D1
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | D1 |
Package / Case | D1 |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5345nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector (Ic) (Max) | 110A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Power - Max | 357W |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 4mA |
Configuration | Single |
APTGT75DA120D1G 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "APTGT" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APTGT100A1202G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2741 |
APTGT100A1202G | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APTGT100A120D1G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2761 |
APTGT100A120D1G | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APTGT100A120T3AG | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2517 |
APTGT100A120T3AG | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APTGT100A120TG | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2709 |
APTGT100A120TG | Microsemi Corporation | IGBTモジュール | |
APTGT100A170D1G | Microsemi | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2779 |
APTGT100A170D1G | Microsemi Corporation | IGBTモジュール |
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