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APTM100A40FT1G
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APTM100A40FT1G 技術仕様
MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 18A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7868pF @ 25V |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SP1 |
Power - Max | 390W |
Package / Case | SP1 |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A |
APTM100A40FT1G 書類
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その他には以下が含まれます: "APTM1" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APTM100A12STG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2580 |
APTM100A12STG | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ | |
APTM100A13DG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2603 |
APTM100A13DG | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ | |
APTM100A13SCG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2550 |
APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ | |
APTM100A13SG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2829 |
APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ | |
APTM100A18FTG | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2514 |
APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | MOSFETトランジスタアレイ |
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