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CSD19505KTT 技術仕様

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DDPAK/TO-263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7920pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Ta)
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CSD19501KCS N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3324
CSD19502Q5B N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5391
CSD19502Q5BT N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3834
CSD19503KCS N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 535
CSD19505KCS N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 27543
CSD19505KTTT N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2503
CSD19506KCS N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5208
CSD19506KTT N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4196
CSD19506KTTT N/A トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1084
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