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DTA114EET1 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer Rochester Electronics, LLC
Factory Lead Time 3 Weeks
Surface Mount YES
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain-Min (hFE) 35
RoHS Status Non-RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Transistor Application SWITCHING
Collector Current-Max (IC) 0.1A
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DTA1132KA ROHM 特殊なホットIC 24000
DTA1135EKAT146 ROHM 特殊なホットIC 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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DTA114EET1 ブランドメーカー: Rochester Electronics, LLC, Bonchip ストック, DTA114EET1 参考価格. DTA114EET1 パラメーター, DTA114EET1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DTA114EET1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DTA114EET1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DTA114EET1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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