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DTC123JCA-TP
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DTC123JCA-TP 技術仕様
NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-23
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | Micro Commercial Co |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 200mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Frequency - Transition | 250MHz |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 21 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2W |
DTC123JCA-TP 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTC123JCA-TP
-
データシート
その他には以下が含まれます: "DTC12" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTC12'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTC123-JS | ROHM | 特殊なホットIC | 605 |
DTC123ECA T116 | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 600282 |
DTC123ECAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2653 |
DTC123ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2693 |
DTC123ECAT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC123EE | ROHM | 特殊なホットIC | 3294 |
DTC123EE TL | ROHM | 特殊なホットIC | 29427 |
DTC123EEBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 30000 |
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輸送方法 | ||
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