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EMZ1DXV6T5G 技術仕様

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-563
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 180MHz, 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
EMZ1DXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 4684
EMZ1DXV6T1 ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
EMZ1DXV6T1 Rochester Electronics, LLC 配列 BJT トランジスタ
EMZ1DXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2693
EMZ1DXV6T1G ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
EMZ1DXV6T1G Rochester Electronics, LLC 配列 BJT トランジスタ
EMZ1DXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2654
EMZ1DXV6T5 ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
EMZ1DXV6T5 Rochester Electronics, LLC 配列 BJT トランジスタ
EMZ1DXV6T5G ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ

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EMZ1DXV6T5G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, EMZ1DXV6T5G 参考価格. EMZ1DXV6T5G パラメーター, EMZ1DXV6T5G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 EMZ1DXV6T5G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 EMZ1DXV6T5G ピン図と回路図と機能の使用方法、 EMZ1DXV6T5G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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