FJY3010R 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case SC-89, SOT-490
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-523F
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
FJY3001R AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 45000
FJY3001R Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 45000
FJY3001R Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
FJY3001R ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJY3002 Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 6440
FJY3002R AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 153105
FJY3002R Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 25468
FJY3002R ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJY3002R IC Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 3275
FJY3003R AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 30000

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