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GBL08-M3/51
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GBL08-M3/51 技術仕様
BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Technology | Standard |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 4A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Supplier Device Package | GBL |
Package / Case | 4-SIP, GBL |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 800V |
GBL08-M3/51 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください GBL08-M3/51
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データシート
GBL08-M3/51.pdf
その他には以下が含まれます: "GBL08" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'GBL08'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
GBL08 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2669 |
GBL08 D2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2714 |
GBL08 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
GBL08-5000M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
GBL08-5300E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
GBL08-E3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2696 |
GBL08-E3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2608 |
GBL08-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
GBL08-E3/51 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 5430 |
GBL08-E3/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 3173 |
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GBL08-M3/51 ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, GBL08-M3/51 参考価格. GBL08-M3/51 パラメーター, GBL08-M3/51 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GBL08-M3/51 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GBL08-M3/51 ピン図と回路図と機能の使用方法、 GBL08-M3/51 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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