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GBLA08-E3/51
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GBLA08-E3/51 技術仕様
DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Technology | Standard |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Supplier Device Package | GBL |
Package / Case | 4-SIP, GBL |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 800V |
GBLA08-E3/51 書類
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その他には以下が含まれます: "GBLA0" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
GBLA005 D2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2791 |
GBLA005 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
GBLA005-E3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2695 |
GBLA005-E3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2766 |
GBLA005-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
GBLA005-E3/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 0 |
GBLA005-E3/51 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2563 |
GBLA005-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
GBLA005HD2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2637 |
GBLA005HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 |
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