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IRFU110PBF
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IRFU110PBF 技術仕様
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-251AA |
Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
IRFU110PBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRFU110PBF
-
データシート
IRFU110PBF.pdf
その他には以下が含まれます: "IRFU1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRFU1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRFU1010Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 563 |
IRFU1010ZPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 670 |
IRFU1018E | IR | 特殊なホットIC | 2566 |
IRFU1018EPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10315 |
IRFU1018EPBF | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRFU110 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2797 |
IRFU110 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2339 |
IRFU110 IRLU110 | IR | 特殊なホットIC | 1 |
IRFU110A | IR | 特殊なホットIC | 49 |
IRFU110PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5928 |
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IRFU110PBF ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, IRFU110PBF 参考価格. IRFU110PBF パラメーター, IRFU110PBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFU110PBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFU110PBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFU110PBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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