IXGT64N60B3 技術仕様

DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer IXYS
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Package / Case TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Transistor Element Material SILICON
Series GenX3™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 41ns
Current - Collector (Ic) (Max) 64A
Turn On Time 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 400A
Switching Energy 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5V
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 460W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power Dissipation-Max (Abs) 460W
Test Condition 480V, 50A, 3 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 326 ns
Gate Charge 168nC
Td (on/off) @ 25°C 25ns/138ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 150ns
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IXGT60N60 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - シングル 2551
IXGT60N60 IXYS 単一IGBT
IXGT60N60B2 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - シングル 1263
IXGT60N60B2 IXYS 単一IGBT
IXGT60N60C2 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - シングル 2743
IXGT60N60C2 IXYS 単一IGBT
IXGT60N60C3D1 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - シングル 2533
IXGT60N60C3D1 IXYS 単一IGBT
IXGT64N60B3-TRL IXYS 単一IGBT
IXGT6N170 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - シングル 2718

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