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JANS2N3810L/TR 技術仕様

BJTS

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Series Military, MIL-PRF-19500/336
Package / Case TO-78-6 Metal Can
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package TO-78
Power - Max 350mW
Other Names JANS2N3810L/TRMS
Mounting Type Through Hole
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
JANS2N2221AUBC Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2530
JANS2N2222A Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2741
JANS2N2222AUB Microsemi 特殊なホットIC 1109
JANS2N2222AUBC Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2749
JANS2N2369AUB Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2658
JANS2N2369AUB Microsemi Corporation 単一BJTトランジスタ
JANS2N2369AUBC Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2544
JANS2N2484UB Microsemi 特殊なホットIC 895
JANS2N2857UB-LC Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2717
JANS2N2857UB-LC Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ

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JANS2N3810L/TR ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, JANS2N3810L/TR 参考価格. JANS2N3810L/TR パラメーター, JANS2N3810L/TR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 JANS2N3810L/TR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 JANS2N3810L/TR ピン図と回路図と機能の使用方法、 JANS2N3810L/TR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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