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JANSR2N3810U 技術仕様

RH SMALL-SIGNAL BJT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Series Military, MIL-PRF-19500/336
Power - Max 350mW
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Surface Mount 6-SMD
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 100µA
Supplier Device Package 6-SMD
RoHS Status RoHS non-compliant
Package / Case 6-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
JANSR2N2221AUB Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2781
JANSR2N2222AUB Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
JANSR2N2222AUB Microsemi Corporation 単一BJTトランジスタ
JANSR2N2369AUB Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2788
JANSR2N2484UB Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2612
JANSR2N2907AUB Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2719
JANSR2N2907AUB Microsemi Corporation 単一BJTトランジスタ
JANSR2N2920U Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2708
JANSR2N2920U Microsemi Corporation 配列 BJT トランジスタ
JANSR2N3440 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2701

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JANSR2N3810U ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, JANSR2N3810U 参考価格. JANSR2N3810U パラメーター, JANSR2N3810U データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 JANSR2N3810U プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 JANSR2N3810U ピン図と回路図と機能の使用方法、 JANSR2N3810U エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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