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KBP106G C2 技術仕様

BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Peak Reverse (Max) 800V
Technology Standard
Package / Case 4-SIP, KBP
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Diode Type Single Phase
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 800V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A
Supplier Device Package KBP
Other Names KBP106G C2-ND KBP106GC2
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole KBP
Current - Average Rectified (Io) 1A
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KBP101G C2 TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 2634
KBP101G C2 Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
KBP101G C2G TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 0
KBP101G C2G Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
KBP102G C2 TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 2596
KBP102G C2 Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
KBP102G C2G TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 2692
KBP102G C2G Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
KBP103G TSC 特殊なホットIC 39
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