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MMUN2113LT1
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MMUN2113LT1 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 246mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
MMUN2113LT1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MMUN2113LT1
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データシート
MMUN2113LT1.pdf
その他には以下が含まれます: "MMUN2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MMUN2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MMUN2111 | N/A | 特殊なホットIC | 3000 |
MMUN2111LT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 1397 |
MMUN2111LT1 | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MMUN2111LT1 | Rochester Electronics, LLC | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MMUN2111LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 5340 |
MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MMUN2111LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 7669 |
MMUN2111LT3G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MMUN2111RLT1 | LRC | 特殊なホットIC | 3500 |
MMUN2111RLT1G | ON | 特殊なホットIC | 4270 |
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