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MS1007 技術仕様

TRANS RF BIPO 233W 10A M174

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Supplier Device Package M174
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 30MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 233W
Package / Case M174
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 14dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 18 @ 1.4A, 6V
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MS1000 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS1001 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2775
MS1001 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS1001A Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2501
MS1001A Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS1002 Original 特殊なホットIC 11039
MS1003 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2771
MS1003 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ
MS1004 Microsemi トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2604
MS1004 Microsemi Corporation RF BJT トランジスタ

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MS1007 ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, MS1007 参考価格. MS1007 パラメーター, MS1007 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MS1007 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MS1007 ピン図と回路図と機能の使用方法、 MS1007 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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