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MTI200WX75GD-SMD
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MTI200WX75GD-SMD 技術仕様
IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ |
Manufacturer | IXYS |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 28 Weeks |
Package / Case | ISOPLUS-DIL™ |
Transistor Element Material | SILICON |
JESD-609 Code | e3 |
Number of Terminations | 24 |
Terminal Finish | TIN OVER NICKEL |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G24 |
Configuration | 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 255A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0013Ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 6 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 38V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 255A |
DS Breakdown Voltage-Min | 75V |
FET Feature | Standard |
MTI200WX75GD-SMD 書類
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
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