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NSBA123JDXV6T1 技術仕様

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-563
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJTトランジスタアレイ
NSBA113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2743
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBA114EDXV6T1 ON 特殊なホットIC 5048

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NSBA123JDXV6T1 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSBA123JDXV6T1 参考価格. NSBA123JDXV6T1 パラメーター, NSBA123JDXV6T1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSBA123JDXV6T1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSBA123JDXV6T1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSBA123JDXV6T1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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