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NSBC114EDXV6T5 技術仕様

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer Rochester Electronics, LLC
Factory Lead Time 3 Weeks
Surface Mount YES
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Transistor Application SWITCHING
Collector Current-Max (IC) 0.1A
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Qualification Status COMMERCIAL
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain-Min (hFE) 35
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2569

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NSBC114EDXV6T5 ブランドメーカー: Rochester Electronics, LLC, Bonchip ストック, NSBC114EDXV6T5 参考価格. NSBC114EDXV6T5 パラメーター, NSBC114EDXV6T5 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSBC114EDXV6T5 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSBC114EDXV6T5 ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSBC114EDXV6T5 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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