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PDTA115ES,126 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 100k
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 20mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
PDTA113EE NXP 特殊なホットIC 438268
PDTA113EE,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3500
PDTA113EE,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTA113EK NXP 特殊なホットIC 12265
PDTA113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2544
PDTA113EK,115 NXP USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTA113EM,315 Nexperia トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2745
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ
PDTA113EMB,315 Nexperia トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2587
PDTA113EMB,315 Nexperia USA Inc. 事前バイアスBJTトランジスタ

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PDTA115ES,126 ブランドメーカー: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip ストック, PDTA115ES,126 参考価格. PDTA115ES,126 パラメーター, PDTA115ES,126 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PDTA115ES,126 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PDTA115ES,126 ピン図と回路図と機能の使用方法、 PDTA115ES,126 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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