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PDTB123ET,215
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PDTB123ET,215 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
PDTB123ET,215 書類
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その他には以下が含まれます: "PDTB1" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
PDTB113EK | NXP | 特殊なホットIC | 27413 |
PDTB113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2754 |
PDTB113EK,115 | NXP USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTB113EQAZ | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2702 |
PDTB113EQAZ | Nexperia USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTB113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2592 |
PDTB113ES,126 | NXP USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
PDTB113ET | PHILIPS | 特殊なホットIC | 12443 |
PDTB113ET,215 | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2712 |
PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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PDTB123ET,215 ブランドメーカー: Nexperia, Bonchip ストック, PDTB123ET,215 参考価格. PDTB123ET,215 パラメーター, PDTB123ET,215 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PDTB123ET,215 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PDTB123ET,215 ピン図と回路図と機能の使用方法、 PDTB123ET,215 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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