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PEMD16,115
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PEMD16,115 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PEMD16,115 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください PEMD16,115
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データシート
PEMD16,115.pdf
その他には以下が含まれます: "PEMD1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'PEMD1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
PEMD10 | NXP | 特殊なホットIC | 4330 |
PEMD10,115 | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2797 |
PEMD10,115 | Nexperia USA Inc. | BJTトランジスタアレイ | |
PEMD10/DG | NXP Semiconductors / Freescale | 特殊なホットIC | 8000 |
PEMD10115 | NXP Semiconductors / Freescale | 特殊なホットIC | 2603 |
PEMD12 | NXP | 特殊なホットIC | 384750 |
PEMD12,115 | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2778 |
PEMD12,115 | Nexperia USA Inc. | BJTトランジスタアレイ | |
PEMD12,315 | Nexperia | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2577 |
PEMD12,315 | Nexperia USA Inc. | BJTトランジスタアレイ |
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