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SI2336DS-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 30V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI2336DS-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
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SI2336DS-T1-GE3 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI2336DS-T1-GE3

その他には以下が含まれます：   "SI233"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI2331/SK2331A Original 特殊なホットIC 30500
SI2331DS VISHAY 特殊なホットIC 3427
SI2331DS-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 51427
SI2331DS-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1590
SI2331DS-T1-E3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 30374
SI2331DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3224
SI2331DS-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 42835
SI2333 SI 特殊なホットIC 61191
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SI2336DS-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI2336DS-T1-GE3 参考価格. SI2336DS-T1-GE3 パラメーター, SI2336DS-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI2336DS-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI2336DS-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI2336DS-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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