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SI2377EDS-T1-GE3
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SI2377EDS-T1-GE3 技術仕様
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 8V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI2377EDS-T1-GE3TR SI2377EDST1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Detailed Description | P-Channel 20V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
SI2377EDS-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI2377EDS-T1-GE3
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データシート
SI2377EDS-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI237" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI237'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI2371EDS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 5297 |
Si2371EDS-T1-E3 | Son | 特殊なホットIC | 3743 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5327 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 141834 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SI2371EDS-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 3241 |
SI2372DS | AOS | 特殊なホットIC | 390 |
SI2372DS-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 30392 |
SI2372DS-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 61039 |
SI2372DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3440 |
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