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SI3464DV-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3464DV-T1-GE3TR SI3464DVT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 27 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1065pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
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SI3464DV-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI3460-E02-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2736
SI3460-E02-GM Silicon Labs PoEコントローラー
SI3460-E02-GMR Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2757
SI3460-E02-GMR Silicon Labs PoEコントローラー
SI3460-E03-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2721
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SI3464DV-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI3464DV-T1-GE3 参考価格. SI3464DV-T1-GE3 パラメーター, SI3464DV-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3464DV-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3464DV-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3464DV-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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