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SI3586DV-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 830mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A, 2.1A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3586DV-T1-GE3TR SI3586DVT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Base Part Number SI3586
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SI3586DV-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI3585CDV VISHAY 特殊なホットIC 14432
SI3585CDV-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2711
SI3585CDV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 64611
SI3585CDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 18365
SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI3585CDV-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1586
Si3585CDV-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 19185
SI3585DV VISHAY 特殊なホットIC 3296
SI3585DV-T1 VISHAY 特殊なホットIC 1127
SI3585DV-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 1211

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SI3586DV-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI3586DV-T1-GE3 参考価格. SI3586DV-T1-GE3 パラメーター, SI3586DV-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3586DV-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3586DV-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3586DV-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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