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SI4388DY-T1-E3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.3W, 3.5W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 946pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.7A, 11.3A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI4388DY-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4388
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SI4388DY-T1-E3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4382DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2964
SI4382DY-TI-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2702
SI4384DY Vishay Precision Group 特殊なホットIC 798287
SI4384DY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1200
SI4384DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 55444
Si4384DY-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 547
SI4384DY-T1-E3.. VISHAY 特殊なホットIC 9806
SI4384DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2663
SI4384DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2622
SI4384DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SI4388DY-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4388DY-T1-E3 参考価格. SI4388DY-T1-E3 パラメーター, SI4388DY-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4388DY-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4388DY-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4388DY-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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